供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RAL035P01TCR Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A...
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SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
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