- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 5.5A... |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 5.5A... |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 5.5A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.5A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.5A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.5A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.5A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5.5... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.5A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-FREE POWER ... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO... |
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Rohm Semiconductor | RF4L055GN IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RF4L055GN IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RF4L055GN IS A POWE... |
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