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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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500W（Tc）
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已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 150A（Tc）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 9000pF @ 25V
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