供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIS698DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.9...
¥2.40
3,000 580 加入购物车 提交询价
SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL...
¥1.95
3,000 580 加入购物车 提交询价
SQ3419EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 7.4A...
¥1.85
3,000 6,000 加入购物车 提交询价
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