零件状态:
包装:
封装/外壳:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
STW55NM60N STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 51A...
-
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SIHG050N60E-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V
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