- 品牌：
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- ON Semiconductor (3)
- Vishay Siliconix (4)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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29 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 6.9A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 6.9A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 6.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 6.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 6.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
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1 | 479 | 提交询价 | ||
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Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
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Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 6.9... |
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1 | 2,504 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 6.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 6.9... |
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4,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
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1 | 4,669 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
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1 | 4,669 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 6.9A... |
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1 | 5,904 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 6.9A... |
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1 | 5,904 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 6.9A... |
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3,000 | 3,002 | 加入购物车 提交询价 |
