供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMP1022UFDEQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V-2...
¥1.93
3,000 580 加入购物车 提交询价
RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor
1.2V DRIVE NCH MOS...
¥0.27
3,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 2 条