零件状态:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI8445DB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A...
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SI8424DB-T1-E1 Vishay Siliconix
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DMN1053UCP4-7 Diodes Incorporated
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SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix
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SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix
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SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix
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¥3.48
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