- 品牌：
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- Texas Instruments (10)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 1.8A... |
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4,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 2A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL LOW ON RESI... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CHAN 8V 2... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20V P-CHANNEL FEMT... |
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3,000 | 15,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.9A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.7A... |
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3,000 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | CSD25485F5T |
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250 | 5,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 10A... |
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3,000 | 6,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 2A ... |
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10,000 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.7A... |
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250 | 23,750 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A... |
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250 | 93,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 1.5A... |
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250 | 194,750 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A... |
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3,000 | 45,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
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3,000 | 12,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
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250 | 14,750 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 2A ... |
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3,000 | 93,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3A ... |
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3,000 | 87,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 6A ... |
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3,000 | 60,000 | 加入购物车 提交询价 |
