- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100M... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.1A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.1A... |
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