晶体管 - FET，MOSFET - 单

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	TN2106K1-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 280M...		-	1	1,112	提交询价
	ZVN4106FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 200M...		-	1	48,141	提交询价

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