- 品牌：
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- Diodes Incorporated (20)
- NXP USA Inc. (2)
- ON Semiconductor (4)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 60V S... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300M... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.45... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.28... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.28... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.15... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.27... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.27... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.27... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.27... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.15... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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