功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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FDBL0110N60 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300A
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FDBL9406L-F085 ON Semiconductor
NMOS TOLL 40V 1.8 MO...
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