零件状态:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPB041N04NGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A...
-
1 580 提交询价
IPB100N06S3-04 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A...
-
1 580 提交询价
IPB80P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A...
¥7.73
1,000 580 加入购物车 提交询价
FDBL86066-F085 ON Semiconductor
PTNG 100V N-FET TOL...
¥11.30
2,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 4 条