供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
PMV170UN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A ...
-
1 580 提交询价
PMV170UN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A ...
-
1 580 提交询价
PMV170UN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A ...
-
1 580 提交询价
SCH1434-TL-H ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A ...
-
1 580 提交询价
MCH3478-TL-H ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A ...
¥0.94
1 580 加入购物车 提交询价
MCH3478-TL-W ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A ...
-
1 956 提交询价
MCH3478-TL-W ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A ...
¥3.16
1 956 加入购物车 提交询价
MCH3478-TL-W ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A ...
¥0.87
3,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 8 条