- 品牌：
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- Vishay Siliconix (5)
- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.7A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 5.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 85A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 85A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 61A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 61A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 39A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 48A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 39A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 85A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.4A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 85A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
