晶体管 - FET，MOSFET - 单

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	TP0604N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 40V 430M...		¥9.88	1	975	加入购物车提交询价
	VN0104N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 40V 350M...		¥4.74	1	1,374	加入购物车提交询价

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