晶体管 - FET，MOSFET - 单

工作温度：

供应商器件封装：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	TPW1R005PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOS...		¥22.38	1	580	加入购物车提交询价
	TPH1R005PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 45V 150A		¥14.87	1	4,810	加入购物车提交询价

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