供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPB120N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
¥8.84
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IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
¥8.56
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