- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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290 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.3A... |
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1 | 19,790 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.3A... |
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1 | 19,790 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 38A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 38A... |
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1 | 1,973 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 38A... |
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2,500 | 5,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7.5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7.5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7.5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 150... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 3DFN |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 3DFN |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 3DFN |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V DP... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V DP... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V DP... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V DP... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V DP... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V DP... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V DP... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V DP... |
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1 | 580 | 提交询价 |
