- 品牌：
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- IXYS (2)
- ON Semiconductor (6)
- Vishay Siliconix (10)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 15A |
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 8DF... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 15A |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 14A... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 12A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 17A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 2.5... |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 16.... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 35A... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 34.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2... |
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800 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2... |
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800 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8A... |
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800 | 580 | 提交询价 |
