功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TSM2N60SCW RPG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 600V 600...
-
1 10,219 提交询价
TSM2N60SCW RPG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 600V 600...
¥5.37
1 10,219 加入购物车 提交询价
TSM2N60SCW RPG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 600V 600...
¥1.90
2,500 10,000 加入购物车 提交询价
STN3NF06 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A ...
-
1 7,498 提交询价
STN3NF06 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A ...
¥7.67
1 7,498 加入购物车 提交询价
STN3NF06 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A ...
¥3.14
4,000 4,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条