零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
PHD78NQ03LT,118 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A...
-
1 580 提交询价
PHB78NQ03LT,118 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A...
-
1 580 提交询价
IRF6810STR1PBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
-
1 580 提交询价
IRF6810STR1PBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
-
1 580 提交询价
IRF6810STR1PBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
-
1 580 提交询价
IRF6810STRPBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
-
1 580 提交询价
IRF6810STRPBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
¥14.39
1 4,760 加入购物车 提交询价
IRF6810STRPBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
¥6.17
1 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 8 条