封装/外壳:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RS1E280GNTB -
MOSFET N-CH 30V 28A...
¥2.78
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RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor
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-
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