功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A...
¥5.98
2,500 580 加入购物车 提交询价
IXTY10P15T IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A...
¥17.20
70 580 加入购物车 提交询价
IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A...
-
1 1,375 提交询价
IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A...
¥22.22
1 1,375 加入购物车 提交询价
IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A...
¥10.99
2,500 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 5 条