- 品牌：
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- IXYS (6)
- ON Semiconductor (26)
- STMicroelectronics (15)
- Vishay Siliconix (28)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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- | MOSFET N-CH 30V 28A... |
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2,500 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 76A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 76A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 16A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.4... |
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4,800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A... |
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70 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A... |
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800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 15A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | T6 40V DPAK EXPANS... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12.5... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
