供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4A ...
-
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SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4A ...
¥3.95
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SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
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¥1.22
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CSD25404Q3T Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 104A...
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CSD25404Q3T Texas Instruments
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¥10.28
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CSD25404Q3T Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 104A...
¥6.49
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CSD25404Q3 Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 104A...
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CSD25404Q3 Texas Instruments
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¥8.93
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CSD25404Q3 Texas Instruments
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¥3.67
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