零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6.8A...
-
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SI6467BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6.8A...
-
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NTMS10P02R2 ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A...
-
1 580 提交询价
SI4427BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9.7A...
¥14.87
1 4,985 加入购物车 提交询价
SI4864DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 17A...
¥34.48
1 2,500 加入购物车 提交询价
NTMS10P02R2G ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A...
¥13.13
1 2,806 加入购物车 提交询价
SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9.7A...
¥11.07
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