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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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功率耗散（最大值）：
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250W（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
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10V
(1)
Vgs（最大值）：
-
(1)
±20V
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已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 90nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 1.1 欧姆 @ 6A，10V
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IXFR12N100
IXYS
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IXYS
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