- 品牌:
-
- NXP USA Inc. (3)
- 封装/外壳:
-
- 功率耗散(最大值):
-
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SC... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SC... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SC... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DF... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DF... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DF... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DF... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300M... |
|
10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SO... |
-
|
1 | 8,003 | 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SO... |
|
1 | 8,003 | 加入购物车 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SO... |
|
3,000 | 6,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V TO... |
-
|
1 | 57,141 | 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V TO... |
|
1 | 57,141 | 加入购物车 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V TO... |
|
3,000 | 54,000 | 加入购物车 提交询价 |