- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 10A... |
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1 | 966 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
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1 | 2,894 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
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1 | 2,894 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 39.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 39.5... |
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1 | 1,377 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 39.5... |
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1,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 21A... |
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1 | 18,559 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 21A... |
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1 | 18,559 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 21A... |
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5,000 | 15,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
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1 | 151,910 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
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1 | 151,910 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
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10,000 | 140,000 | 加入购物车 提交询价 |
