供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMP45H4D9HJ3 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 4.6...
¥5.64
75 580 加入购物车 提交询价
STW8N120K5 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 8A...
¥53.94
1 580 加入购物车 提交询价
STP8N120K5 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 8A...
¥49.51
1 1,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 3 条