- 品牌：
-
- Vishay Siliconix (6)
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
16 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190... |
|
10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
-
|
1 | 33,057 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
|
1 | 33,057 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
|
3,000 | 27,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
-
|
1 | 23,421 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
|
1 | 23,421 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
|
10,000 | 20,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190M... |
-
|
1 | 48,101 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190M... |
|
1 | 48,101 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190M... |
|
3,000 | 45,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
-
|
1 | 62,021 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
|
1 | 62,021 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
|
3,000 | 60,000 | 加入购物车 提交询价 |
