供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IRF6810STR1PBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
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1 580 提交询价
IRF6810STR1PBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
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IRF6810STR1PBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 16A...
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STD55NH2LLT4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 40A...
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STD55NH2LLT4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 40A...
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