- 品牌：
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- Infineon Technologies (149)
- NXP USA Inc. (18)
- ON Semiconductor (83)
- 系列：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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265 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2A ... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 120A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 100A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 120A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 120A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 120A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 77A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 100A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V TO... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 19.7... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 40A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO262-3 |
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ON Semiconductor | MOSFET N CH 100V 39A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.2A... |
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