- 品牌：
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- Vishay Siliconix (3)
- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A... |
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1 | 495 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V ... |
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1 | 11,695 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V ... |
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1 | 11,695 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V ... |
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3,000 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
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1 | 9,108 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
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1 | 9,108 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
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3,000 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 |
