供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
NTR4170NT3G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A...
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DMP3130L-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.5A...
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DMP3130L-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.5A...
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DMP3130L-7 Diodes Incorporated
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NTR4170NT1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A...
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NTR4170NT1G ON Semiconductor
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