晶体管 - FET，MOSFET - 单

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	STH140N6F7-2	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 60V 80A...		-	1	580	提交询价
	STL140N6F7	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 60V 145A...		-	1	4,189	提交询价

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