- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 200V 3.7... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4V... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4V... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4V... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.5... |
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1 | 582 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
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1 | 326 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
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1 | 6,234 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 200V 3.7... |
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1 | 11,595 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 200V 3.7... |
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1 | 11,595 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 200V 3.7... |
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4,000 | 4,000 | 加入购物车 提交询价 |
