- 品牌：
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- IXYS (1)
- ON Semiconductor (15)
- Vishay Siliconix (7)
- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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38 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3.8... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 15A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A... |
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.... |
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