供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SPI07N65C3HKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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FQI6N50TU ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5...
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SPI07N60C3HKSA1 Infineon Technologies
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SPI07N60C3XKSA1 Infineon Technologies
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