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晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列：
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安装类型：
底座安装
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封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
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(1)
供应商器件封装：
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功率耗散（最大值）：
595W（Tc）
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780W（Tc）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
23A（Tc）
(1)
26A（Tc）
(2)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 11900pF @ 25V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 390 毫欧 @ 13A，10V
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IXFN26N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23...
¥303.79
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IXFK26N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26...
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IXFX26N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26...
¥164.59
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IXFN26N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
库存 : 580
¥303.79
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IXFK26N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
库存 : 580
¥165.66
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IXFX26N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
库存 : 580
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