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45A（Tc）
(1)
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(2)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
85 毫欧 @ 32A，10V
(2)
95 毫欧 @ 32A，10V
(1)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 6950pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 145nC @ 10V
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IXFR64N50Q3
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MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
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IXFK64N50Q3
IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
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IXFX64N50Q3
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MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
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