系列:
零件状态:
工作温度:
安装类型:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
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RP1L055SNTR Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5.5A...
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2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
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NDT451N ON Semiconductor
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