晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

零件状态：

包装：

工作温度：

技术：

安装类型：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

1,084 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
BUK9C3R8-80EJ	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V D2P...	-	1	580	提交询价
BUK7C3R8-80EJ	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 186A...	-	1	580	提交询价
BUK7C3R1-80EJ	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 200A...	-	1	580	提交询价
BUK9Y9R9-80E,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V LF...	-	1	580	提交询价
BUK9Y98-80E,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V LF...	-	1	580	提交询价
BUK9Y7R8-80E,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V LF...	-	1	580	提交询价
BUK9E4R4-80E,127	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 120A...	-	1	580	提交询价
AUIRLR2908	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 30A...	-	1	580	提交询价
AON6448L_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 80V 8DF...	-	1	580	提交询价
AON6448L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 80V 8DF...	-	1	580	提交询价
BUK954R4-80E,127	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 120A...	-	1	580	提交询价
BUK7E4R0-80E,127	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 120A...	-	1	580	提交询价
IRFH7882TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 26A	-	1	580	提交询价
IRFH7882TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 26A	-	1	580	提交询价
IRFH7882TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 26A	-	1	580	提交询价
IRFH7885TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 22A	-	1	580	提交询价
IRFH7885TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 22A	-	1	580	提交询价
IRFH7885TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 22A	-	1	580	提交询价
AO4448L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 80V 10A...	-	1	580	提交询价
IAUS200N08S5N023ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 200A...	-	1	580	提交询价

1 / 55 页共 1084 条