- 品牌：
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- NXP USA Inc. (1)
- ON Semiconductor (2)
- 系列：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 17.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 17.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 17.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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1 | 975 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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1 | 975 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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1 | 5,975 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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1 | 7,399 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 17.... |
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1 | 588 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 17.... |
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1 | 370 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 17.... |
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1 | 1,982 | 加入购物车 提交询价 |
