- 系列：
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- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 4A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 156 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 1.50... |
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1 | 771 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
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1 | 607 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 2,470 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 4A ... |
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1 | 2,854 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 1.50... |
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1 | 2,131 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 4A ... |
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1 | 1,004 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 4A... |
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1 | 4,900 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A ... |
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1 | 3,154 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A ... |
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1 | 7,498 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A ... |
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1 | 14,193 | 加入购物车 提交询价 |
