供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
STL225N6F7AG STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A...
¥23.73
1 580 加入购物车 提交询价
STB57N65M5 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A...
¥98.95
1 3,985 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 2 条