- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (25)
- Nexperia USA Inc. (12)
- NXP USA Inc. (1)
- ON Semiconductor (26)
- Rohm Semiconductor (30)
- Texas Instruments (25)
- Vishay Siliconix (84)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
-
250 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 0.5A... |
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1 | 1,233 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 0.2A... |
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1 | 6,021 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.5A... |
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1 | 2,193 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PI... |
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1 | 1,270 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 6A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 4A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 0.85... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 9A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 0.87... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 9A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 25A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3A ... |
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1 | 580 | 提交询价 |
