零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD50R380CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9...
-
1 580 提交询价
IPD50R380CEBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9...
-
1 275 提交询价
IRFR9020TRPBF Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A...
-
1 7,933 提交询价
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